ㅊ회로이론 21강:전원, 중첩의 정리,테브난의 정리,노튼의 정리, 밀만의 정리
*복잡한 회로를 간단한 회로로 만들기 위한 도구 또는 스킬이라고 할 수가 있다.
*중첩의 정리와 테브난의 정리를 중점으로 보자
*선형회로망:R,L,C,G로 이루어진 회로
*R,L,C,G를 선형소자라고 하고 전압이나 전류가 변해도 그 값이 변하지 않는 소자이다.
●전압원(전압의 원천)
*전압원의 내부 임피던스가 작으면 작을수록 좋다
*이상적 Z=0
●전류원(전류의 원천)
전류원의 부호
*전류원의 내부 임피던스가 크면 클수록 좋다
*이상적 Z=∝
●중첩의 정리 - 선형회로에서만 가능.전압원 전류원이 2개 이상일 때.
전압원 단락(쇼트), 전류원 개방(오픈)
*위의 회로에서 중첩의 원리를 이용하여 전류(I)를 구하여 보자.
①전압원을 제거한다......전압원 단락....전압원을 그냥 선으로 긋는다.
*전류원에 의한 전류(I)1을 구한다.
\[ I_{_{1}}=\frac{2}{4+2}\times 6=2[A]\]
②전류원 제거 - 전류원 개방
전류원을 제거하고 개방 상태 즉 끊어진 상태로 그린다
*전압원에 의한 전류(I)2를 구한다
\[I_{2}=\frac{6}{2+4}=1[A]\]
③합친다
\[I=I_{1}+I_{2}=2+1=3[A]\]
●테브난의 정리
①떼어낸다
②V(th)를 구한다
③단락(전압원) 또는 개방(전류원)을 하고 단락 또는 개방한 측을 바라본다.
④R(th)를 구한다
⑤붙인다
*테브난의 정리를 사용하여 부하에 흐르는 전류(I)를 구하여 보자
①떼어낸다
②V(th)를 구한다
*부하 부분을 떼어내고 개방 상태로 한다
*전압 V(th)를 구한다.
\[V_{TH}=V_{ab}=\frac{R_{2}}{R_{1}+R_{2}}V\]
③단락(전압원) 또는 개방(전류원)을 하고 단락 또는 개방한 측을 바라본다.
*전압원을 단락 시킨다(전선의 형태) / 만약 전류원이라면 개방(오픈)한다.
④R(th)를 구한다
\[R_{TH}=R_{3}+\frac{R_{1}R_{2}}{R_{1}+R_{2}}\]
⑤붙인다
*처음에 떼어둔 부하 부분을 다시 붙인다. 그러면 테브난의 등가회로가 만들어진다. 복잡했던 회로를 간단한 회로로 등가변환한 후에 전류(I) 값을 구한다.
\[I=\frac{V_{TH}}{R_{TH}+R_{L}}\]
●노튼의 정리
*숫자를 넣고 풀어보며 알아보자
*부하부분을 떼어내고 a,b 단자를 단락시킨다,즉 선으로 연결한다.
*a,b사이에 흐르는 전류를 I(N)이라고 하고 그 값을 구한다.
\[ R_{T}=3+\frac{6\times 7}{6+7}=6.23[\Omega]\]
\[I_{T}=\frac{V}{R_{T}}=\frac{12}{6.23}=1.93\]
\[I_{N}=\frac{6}{6+7}\times I_{T}=\frac{6}{6+7}\times 6.23=0.89\]
*떼어낸 부분을 개방
*전압원을 제거 후에 단락시킨다
*단락 또는 개방한 측을 바라본다
*R(N)을 구한다
\[R_{N}=3+6=9\Omega \]
*떼어둔 부분을 다시 붙인다.
*이렇게 하면 복잡하던 회로가 간단하게 정리가 되었다.
*원하는 값을 구하면 된다
●밀만의 정리
\[V=IZ=\frac{I}{Y}=\frac{I_{1}+I_{2}+I_{3}...........}{Y_{1}+Y_{2}+Y_{3}..........}\]
\[=\frac{\frac{E_{1}}{Z_{1}}+\frac{E_{2}}{Z_{2}}+\frac{E_{3}}{Z_{3}}.......}{\frac{1}{Z_{1}}+\frac{1}{Z_{2}}+\frac{1}{Z_{3}}.......}\]
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